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CVD二氧化硅基底单层二硫化钼连续薄膜
货号: 101176
CAS号: 1317-33-5
编号: XF176
规格:
包装: 1 盒
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保质期: 6月常温干燥避光
现货库存0 补货时间:15天

货号 CAS号 编号 包装 参数 库存 补货期 价格 购买数量
101176 1317-33-5 XF176 1 盒 尺寸:8X8 mm, 基底:二氧化硅,单抛光 0 15天 登录后查看
快递服务:

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产品名称

中文名称: CVD二氧化硅基底单层二硫化钼连续薄膜

英文名称:monolayer continuous film of MoS2 on SiO2

 

性质

形态:薄膜

参数

MoS2薄膜尺寸:8 mm*8 mm

厚度:0.60.8 nm

基底:SiO2/Si


应用

先丰纳米最新推出CVD法制备的单层二硫化钼连续薄膜,相比较锂插层制备的单层二硫化钼,该产品具有缺陷少,层数可控,优异的光学性质,是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料,欢迎咨询。

 

其他信息

详情请发邮件至:sale@xfnano.com

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